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（原标题：2200°C足球投注app，半导体单晶滋长技艺新冲破！）

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起原 ：本色编译自phys，谢谢。

从左到右：接纳钨坩埚和脱氧绝缘体的新晶体滋长技艺暗意图，以及新式单晶示例。

图源：Scientific Reports (2025)

当今用于半导体、电子设立和光学设立的单晶无法承受高温。这是因为时常用于制造它们的材料（举例铱和铂）的熔点低于 2,200°C。制造大概承受这种顶点温度的单晶是一项迄今放胆尚未攻克的穷苦。

横田雄衣副西席和吉川彰西席（东北大学材料商讨所）开垦了一种新的晶体滋长技艺，使用钨（W）坩埚，可在 2,200°C 以上的温度下使用。

该晶体滋长技艺有望对新材料的发现和更高熔点氧化物单晶的量产作念出紧要孝敬。

该商讨发表在《科学施展》上。

“钨此前未能得手的原因在于它容易与氧化物发生反馈，”横田评释谈。“钨还可能混入晶体中，从而混浊最终家具。”

商讨团队开垦了一种新的晶体滋长技艺，不错扼制无谓要的反馈和混浊。他们的商讨明确了这些经由背后的机制，以便灵验地休止它们。

最终，他们已得手研发出越过现存精明体的高密度单晶。这一发现将带来紧要的试验影响，径直改善天下各地东谈主们的生计。举例，这些晶体可运用于PET设立，从而在更短的时候内检测出早期癌症。

现存氧化物、氟化物和卤化物精明体单晶的熔点和带隙。图中涌现了使用铱、铂铑和铂坩埚可进行晶体滋长的区域。

图源：Scientific Reports (2025)

吉川说：“这些效能是令东谈主粗犷的，因为这意味着咱们不错创造出多数适用于庸碌运用的新材料。”

这项商讨有望加快开垦用于半导体、光学材料、精明体和压电材料的、责任温度在2200°C以上的新式功能性单晶。当今，在日本科学技艺振兴机构（JST）的复旧下，其量产要领正在开垦中。

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